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随着科技水平的发展和工艺的进歩，电子产品越来越微型化、复杂化和系统化，而其功能却越来越强大，集成度越来越高，体积越来越小。切片分析是借助切片分析技术和高倍率显微镜确认电子元器件的失效现象，分析工艺、原材料缺陷。通过显微剖切技术制得的微切片可用于电子元器件结构剖析、检查电子元器件表面及内部缺陷检查。
常用的切片方法有三种：（1）机械，用于将设备劈开或抛光到所需位置；（2）离子磨，可用于清理机械部件或整个部件，是一种工具。用高压离子或（3）双束聚焦离子束（DB-FIB）抛光样品边缘，该离子束使用Ga离子束将沟槽切入样品中，然后使用设置好的SEM观察沟槽看看沟渠。
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优点 |
缺点 |
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机械X剖面 |
整个模具/封装均可检查。 获得其他技术的机会很好。 |
无法对设备进一步采取小的受控步骤，将压力施加到样品上。 |
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离子铣削 |
抛光非常干净，不会对设备施加任何力。 可以观察到晶粒结构。 使用稀有气体进行研磨，因此没有污染问题。 |
样品的几何形状受到限制，距离样品边缘的截面深度有限。 |
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双光束FIB |
可以通过感兴趣的区域采取较小的受控步骤，可以分析多个相邻区域。 非常*进行TEM采样。 |
仅分析小区域，有限的切入深度，无法合理地分析大区域。 使用其他技术的机会非常有限。 使用Ga离子进行溅射，这可能是一个问题。 绝缘子的充电问题与SEM相同。 |
切片分析步骤
